Continentals Antriebs-Sparte Vitesco Technologies und der Hersteller von Siliziumkarbid-(SiC)-Halbleitern Rohm Semiconductor haben eine Entwicklungspartnerschaft unterzeichnet, die jetzt begonnen hat. Vitesco Technologies will SiC-Bausteine nutzen, um die Effizienz seiner Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge (Electric Vehicle, EV) zu steigern.
Mit ihrem höheren Wirkungsgrad nutzen Siliziumkarbid-Halbleiter die Energie, die in der Fahrzeugbatterie gespeichert ist, besser aus. Das Fahrzeug gewinnt so entweder an Reichweite, oder die Batterie kann kleiner ausfallen, ohne damit die Reichweite zu beeinträchtigen.
SiC-Option Teil des modularen Leistungselektronik-Systems
„Energieeffizienz ist im Elektrofahrzeug von herausragender Bedeutung. Da die Antriebs-Batterie die einzige Energiequelle im Fahrzeug ist, müssen alle Wandlungsverluste minimiert werden. Deshalb entwickeln wir eine SiC-Option als Teil unseres modularen Leistungselektronik-Systems“, sagt Thomas Stierle, Leiter der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Vitesco Technologies.
Da die Qualität überzeugend gewesen sei, greift Vitesco auf die Produkte von Rohm zurück. Ziel sei es dabei, „den maximalen Wirkungsgrad aus der Leistungselektronik und der E-Maschine herauszuholen“, so Stierle.
„Wir sind weltweit der führende Anbieter bei SiC-Leistungshalbleitern und Gate-Treiber ICs und haben uns auf diesem Feld einen erheblichen technischen Vorsprung erarbeitet“, versichert Kazuhide Ino, Corporate Officer, Direktor der Geschäftseinheit Power Device bei Rohm.
Gemeinsam mit Vitesco Technologies wolle man jetzt die Energieeffizienz von elektronischen Komponenten für die Elektromobilität weiter steigern und so eine nachhaltige Mobilität sichern.
SiC-Technologie: Den besten Wirkungsgrad herauskitzeln
Vitesco Technologies entwickelt und testet SiC-Technologie bereits, um das Effizienz-Potenzial dieser Technologie zu bestätigen.
Das Augenmerk liegt auf dem Gesamtsystem aus Elektronik und Maschine, um die beste Kombination aus Bausteintechnologie und Schaltstrategie zu bestimmen.
SiC-Leistungshalbleiter bieten für diese Aufgabe eine höhere Schalt-Effizienz (höhere Schaltfrequenz, steilere Schaltflanken) und verursachen geringere Oberschwingungs-Verluste in der elektrischen Maschine.
Die SiC-Technologie ermögliche außerdem schnelle Ladeverfahren.
„Die SiC-Option ist ein vielversprechender zukünftiger Teil unseres modularen Leistungselektronik-Systems aus Software, Leistungs-Endstufe und Schaltstrategie”, sagt Dr. Gerd Rösel, Leiter Innovation der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Vitesco Technologies.
Mit Rohm werde man sowohl an einer 800-V- als auch an einer 400-V-SiC-Inverterlösung arbeiten.
Die Produktion der ersten SiC-Inverters soll im Jahr 2025 starten. Ab dann erwartet Vitesco Technologies auch eine deutlich zunehmende Nachfrage. (wag)
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